For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 Vishay Siliconix SI3453DV-T1-GE3

Technology: Si

Unit Weight: 20 mg

Channel Mode: Enhancement

Configuration: Single

Mounting Style: SMD/SMT

Qg - Gate Charge: 6.8 nC

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: P-Channel

Pd - Power Dissipation: 3 W

Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V

Id - Continuous Drain Current: 3.4 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 276 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi